中国首台7纳米光刻机(上海微电子能在2025年前攻克7nm光刻机吗)
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2023-11-13
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1. 中国首台7纳米光刻机,上海微电子能在2025年前攻克7nm光刻机吗?
我们国人还有问能不能在2025年前攻克 5 纳米光刻机的呢,是不是与中国芯片自给率到2025年达到70%的要求有关?肯定与心里格外焦急有关,更有关,急不可待似的!是啊,国内能设计出7纳米、5纳米芯片,却被断了相应的代工;国内能制造出7纳米芯片,却被断了必需的7纳米光刻机,怎能不格外焦急呢!国内没有攻克高端光刻机,无疑是国产高端芯片“绝版”的核心原因;如果能在2025年前攻克,其它高端国产工艺设备就一定能全都提前地攻克了,目前都是中端的。
我们难以确定地回答我们国内能在将来的哪一年攻克7纳米光刻机。因为,有关上海微电子的信息不多,尤其内容具体的信息不多、笼统的多,来源确定的不多、“猜测”的多,有人说是由于保密,应该不是吧?有关其配套的国内制造厂家和研发机构的信息也不算多,另外还有 1 个共同点,就是新的信息不多、“旧的”多,加一起,就是有关国产光刻机发展现状的信息不多,确定、新颖的也不多,相比之下,有关上世纪发展状况的信息够多、够细、够实。
即使是上海微电子,也难以确定地回答具体能在将来的哪一年攻克7纳米光刻机!这很客观。即便是我们国家,也不过是曾用“规划”的方式提出了在2030年实现高端光刻机国产化的目标。攻克光刻机是个“技术事”,技术方面的事本来就是不确定的,由太多不确定的因素造成,何况光刻机技术那么复杂,更何况,只有高端的光刻机才称得上是真正意义上的“人类工业皇冠上的明珠”之一! 另一个称得上的是一流的航空发动机,按被赋予的称呼,摘取的技术难度都是最大的,唯二!至今分别只被荷兰和美国摘取了,荷兰是与多个国共同攻克高端光刻机的,美国可以说是单独攻克一流航空发动机的,这让人看上去,像是到如今人类工业皇冠上仅仅有 2 颗明珠似的。那拿下中端和低端光刻机的国家呢?不止 1 个,我国已经是拿下低端的之一,即将是拿下中端的之一。其实,人类工业皇冠上的明珠不是有 2 颗,而是有 2 种, 1 种当中不止有 1 颗,我们中国在将来一定能在 2 种当中分别摘下来 1 颗!
即便是我们,也可以确定地说按传统技术路线走,在2025年前不能攻克7纳米光刻机。上海微电子按照传统技术路线,即将攻克28纳米光刻机,跨越式的,应该是在攻克90纳米光刻机的2016年前就已经“起跳”了,通过预先研究获得了技术积累和储备,如果真的在2022年越过28纳米,让中端国产光刻机落地,够快,关键是让我们国内在2022年就具有了中端光刻机的技术基础和制造能力,然而,技术基础和能力虽然不过才这么高,却是至少历经 6 年以上时间才达到的,而从2022年里到2025年前是多少年?所以,国内业内和业外公开的主流看法一直都是不能在短期内就攻克7纳米光刻机。中科院也是这么看的,公开说在极紫外光刻机方面还有很长的路要走,已部署新技术路线光刻机的研制,说法和部署一定都是在论证之后提出、做出的,而选择新技术路线一定是认为只有这样才能更快地攻克,会不会之前也有了一定的“新路线”技术积累和储备?特别是,能不能在2025年前攻克呢?中科院是在2020年9月16日公开宣布进入光刻机战场的,一进场就直奔高端光刻机而去。
我们还可以确定地说,上海微电子在2025年前能为攻克7纳米光刻机奠定一定的技术基础、提供一定的制造能力。在攻克28纳米光刻机的2022年前,应该已经有了基于自己和包括中科院在内的其他国内研发机构按传统技术路线研发而取得的高端技术积累和储备,在2025年前肯定还能积累、储备一些,但是,肯定还奠定不起来、提供不上来高端光刻机所必需的整个技术基础和全部制造能力,并且,应该只能是整机集成方面的积累和储备吧,按到目前为止的信息,上海微电子一直以来,在光刻机产品上只是贡献了整机集成这个方面的关键技术和关键能力,没听说像ASML那样曾经另外攻克了关键部件之一——双工作台。
国内配套的部件制造厂家和研发机构呢?到目前为止的信息表明,相对于上海微电子的整机集成技术积累和储备,在包括但不局限于“三大核心部件”的高端部件技术方面的积累和储备不是“一定的”,而是厚实的、全面的,并且还高于、早于上海微电子的,特别是还形成了一定的关键部件制造能力,在2025年前一定能更为厚实、全面一些,制造能力一定能再提升一些,也就是,到2025年前,应该不止是有更多的高端部件技术积累和储备,而是为攻克高端光刻机奠定了“更高的”高端部件技术基础和制造能力。我刚刚还在今日头条看到了昨天晚上发出的一条新信息,某知名科技领域创作者说最近我国在光源和光学镜头方面都取得了突破,双工作台技术也在去年打破了ASML的垄断,因此认为“已经越来越接近EUV光刻机的核心了”。而我,在这里之所以说高端部件技术基础和制造能力到2025年前能是“更高的”却没说能是“足够的”,是因为根据到目前为止的信息,高端部件技术还没有多少已经转化为高端部件产品,转化中、待转化和概念性的高端部件技术加一起仍然占多数,而这一切在量和质上,到2025年前难能有突飞猛进式的变化,技术向来就不能在短时间内取得新进展、获得新突破。
按“多个国”分别历经10年、15年攻克7纳米光刻机的原型机和量产机这 2 个既有的历史事实,也可以确定地说上海微电子和配套的制造厂家与研发机构不能在2025年前攻克,连7纳米的原型机都不可能。将来一定能!甚至,能同跨越式地攻克28纳米量产光刻机一样,跨过14纳米及其以下,越过7纳米,但怎么也得 8 年、10年,最晚能在2032年前吧,这就称得上奇迹了,毕竟是“一国造”!我们中国人也确实是创造过不少奇迹,在光刻机领域就是,我们国内在1952年就起步相关技术的研发了,通过自加压力、自主研发,在1985年前,攻克了较多先进技术,攻克了较多先进产品,先进程度曾经仅仅低于美国这一个国。
2. 上海微电子已经成功生产光刻机了么?
全球半导体前道光刻机长期由ASML、佳能、尼康三家公司所垄断,三家公司占据了99%的市场份额。ASML市场份额常年高达60%以上,呈现霸主垄断地位,ASML已经完全地垄断了超高端光刻机领域,而佳能则完全退出高端市场,凭借价格优势盘踞在中低端市场。
上海微电子(SMEE)成立于2002年,其主产品SSX600系列步进扫描投影光刻机满足90nm、110nm、280nm芯片前道光刻工艺的要求,可以用于8英尺、12英尺大规模工业生产。毫无疑问上海微电子早已经能够生产光刻机,相比较于1984年4月成立的ASML,上海微电子疑问是芯片制造光刻机领域的后起之秀,经过20余年的发展逐渐缩小了和光刻巨头之间的差距,上海微电子在全球后道封测光刻机领域高达40%的占有率。上海微电在前道光刻机领域仅能提供低端光刻机光刻原理其实特别简单,就跟我们在沙滩上晒太阳一样,光线能直接照射到的地方皮肤就会呈现黝黑的颜色,而被遮挡的地方皮肤就会呈现白皙的颜色。早期的光刻机其实和照相机显影技术并无二致,所以也就能理解为什么做照相机的佳能和尼康为什么会闯入光刻机领域。基于光刻机的原理很简单,早期的芯片工艺制程水平也并不高,所以我国大致是在1965年前后拥有光刻机。1445所在1977年就研制成功了一台接触式光刻机GK-3。接触式光刻就是直接将掩膜直接贴到硅片上用灯光照射,这种工艺最难的地方在于要在底片上刻出1微米分辨率的线条,而光照并不是太大的难题。这么说想必大家要翘尾巴了,要知道西方在1978年就已经推出了成熟的分布投影光刻机了。拜读过《朱煜:精密事业》就知道我们的半导体工业为什么会落后别人一大截,国情使然,这里就不再大篇幅陈述。如今的半导体产业已经成为了一个全球性的巨大产业链条,我们已经完全有能力生产7nm甚至更低nm的芯片,关键在于我们的材料和设备受制于人,高端光刻设备对于光学技术和供应链要求极高,拥有极高的技术壁垒,是全球产业链整合出来的产品,比如ASML光刻机的光源来自美国、镜头来自德国、阀件来自法国,这些不是有钱就能买得到的,因为欧美国家对我们实施了技术封锁。光刻机的市场需求并不高ASML的EUV光刻机拥有10万个主要部件,镜子都需要数月才能打磨到理想的平滑度,运输是需要41辆超大型卡车,所以ASML每年仅能生产百来台,所以也就能理解尼康和佳能逐渐势弱。光刻机不开张则已,一开张就能吃好几年。ASML在研发费用方面长期处于行业领先地位,研发费用占到了总销售额的20%左右。ASML也拥有大量的现金,所以研发并不会受到经济周期的影响。这些都得益于ASML独特的公司股权架构,只有注资ASML公司成为股东之一才能够获得优先供货权,毫无疑问英特尔、三星、台积电都是ASML的股东,如今的ASML已经成为不折不扣的美系资金企业。上海微电子也并没有那么悲观鲲鹏有鲲鹏的活法,蚍蜉有蚍蜉的活法。当国外巨头都在耻笑上海微电子有近二十年的代差,几十上百年都很难追上,谁又规定了蚍蜉不能一路打怪升级呢?当一种技术封锁上升到国家层面时,举国之力发展半导体产业自有生态离成功并非难事,日本、韩国的半导体产业就是这样发展起来的。以上个人浅见,欢迎批评指正。认同我的看法,请点个赞再走,感谢!喜欢我的,请关注我,再次感谢!3. 是受制于技术原因还是专利原因?
纠正一下:不是造不出光刻机,是造不出高精度的光刻机,比如7纳米以及7纳米以下的先进设备!核心原因是人才缺失,技术储备也不够,更别说专利壁垒很难绕开滴
4. 光刻机7纳米是什么?
光刻机7纳米是指芯片的工艺制程。
7纳米实际是个距离单位,纳米就是毫米的百万分之一长度,在芯片领域纳米指的是芯片的删极宽度,就是芯片的最小构成-硅晶体管的删极宽度。而光刻机一般是根据光源来分的,所谓7纳米芯片是指用13.5纳米波长的极紫外光euv光刻机,通过技术手段加工出7纳米芯片,也就是所谓的多次曝光,所以并不是光刻机是7纳米的。
5. 湖南首条光刻机是几nm?
湖南首条光刻机是2019年投入使用的一台EUV光刻机,其最小曝光尺寸为7纳米。光刻机是半导体制造中关键的设备,用于将芯片上的电路图案投射到硅片上。EUV光刻技术是目前最先进的光刻技术,能够实现更小的曝光尺寸,提高芯片的集成度和性能。湖南首条光刻机的投入使用标志着中国在半导体制造领域取得了重要突破,对于推动中国半导体产业的发展具有重要意义。
6. 光刻厂可以做几纳米?
光刻厂可以实现的纳米级别取决于其设备和技术水平。目前,先进的光刻技术可以实现亚纳米级别的精度,例如7纳米、5纳米和3纳米。然而,随着技术的不断发展,光刻厂有望实现更小的纳米级别,如2纳米或更低。
这需要更高级的设备和先进的光刻技术,以满足不断增长的微电子行业对更小、更高性能芯片的需求。
7. 7nm工艺需要多少nm的光刻机?
1、7nm工艺通常需要使用13.5nm的极紫外光刻机(EUVL)进行制程。
2、极紫外光刻机是目前用于制造7nm及以下工艺的最新一代光刻技术,可以实现更高的分辨率和更精确的图案复制。
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1. 中国首台7纳米光刻机,上海微电子能在2025年前攻克7nm光刻机吗?
我们国人还有问能不能在2025年前攻克 5 纳米光刻机的呢,是不是与中国芯片自给率到2025年达到70%的要求有关?肯定与心里格外焦急有关,更有关,急不可待似的!是啊,国内能设计出7纳米、5纳米芯片,却被断了相应的代工;国内能制造出7纳米芯片,却被断了必需的7纳米光刻机,怎能不格外焦急呢!国内没有攻克高端光刻机,无疑是国产高端芯片“绝版”的核心原因;如果能在2025年前攻克,其它高端国产工艺设备就一定能全都提前地攻克了,目前都是中端的。
我们难以确定地回答我们国内能在将来的哪一年攻克7纳米光刻机。因为,有关上海微电子的信息不多,尤其内容具体的信息不多、笼统的多,来源确定的不多、“猜测”的多,有人说是由于保密,应该不是吧?有关其配套的国内制造厂家和研发机构的信息也不算多,另外还有 1 个共同点,就是新的信息不多、“旧的”多,加一起,就是有关国产光刻机发展现状的信息不多,确定、新颖的也不多,相比之下,有关上世纪发展状况的信息够多、够细、够实。
即使是上海微电子,也难以确定地回答具体能在将来的哪一年攻克7纳米光刻机!这很客观。即便是我们国家,也不过是曾用“规划”的方式提出了在2030年实现高端光刻机国产化的目标。攻克光刻机是个“技术事”,技术方面的事本来就是不确定的,由太多不确定的因素造成,何况光刻机技术那么复杂,更何况,只有高端的光刻机才称得上是真正意义上的“人类工业皇冠上的明珠”之一! 另一个称得上的是一流的航空发动机,按被赋予的称呼,摘取的技术难度都是最大的,唯二!至今分别只被荷兰和美国摘取了,荷兰是与多个国共同攻克高端光刻机的,美国可以说是单独攻克一流航空发动机的,这让人看上去,像是到如今人类工业皇冠上仅仅有 2 颗明珠似的。那拿下中端和低端光刻机的国家呢?不止 1 个,我国已经是拿下低端的之一,即将是拿下中端的之一。其实,人类工业皇冠上的明珠不是有 2 颗,而是有 2 种, 1 种当中不止有 1 颗,我们中国在将来一定能在 2 种当中分别摘下来 1 颗!
即便是我们,也可以确定地说按传统技术路线走,在2025年前不能攻克7纳米光刻机。上海微电子按照传统技术路线,即将攻克28纳米光刻机,跨越式的,应该是在攻克90纳米光刻机的2016年前就已经“起跳”了,通过预先研究获得了技术积累和储备,如果真的在2022年越过28纳米,让中端国产光刻机落地,够快,关键是让我们国内在2022年就具有了中端光刻机的技术基础和制造能力,然而,技术基础和能力虽然不过才这么高,却是至少历经 6 年以上时间才达到的,而从2022年里到2025年前是多少年?所以,国内业内和业外公开的主流看法一直都是不能在短期内就攻克7纳米光刻机。中科院也是这么看的,公开说在极紫外光刻机方面还有很长的路要走,已部署新技术路线光刻机的研制,说法和部署一定都是在论证之后提出、做出的,而选择新技术路线一定是认为只有这样才能更快地攻克,会不会之前也有了一定的“新路线”技术积累和储备?特别是,能不能在2025年前攻克呢?中科院是在2020年9月16日公开宣布进入光刻机战场的,一进场就直奔高端光刻机而去。
我们还可以确定地说,上海微电子在2025年前能为攻克7纳米光刻机奠定一定的技术基础、提供一定的制造能力。在攻克28纳米光刻机的2022年前,应该已经有了基于自己和包括中科院在内的其他国内研发机构按传统技术路线研发而取得的高端技术积累和储备,在2025年前肯定还能积累、储备一些,但是,肯定还奠定不起来、提供不上来高端光刻机所必需的整个技术基础和全部制造能力,并且,应该只能是整机集成方面的积累和储备吧,按到目前为止的信息,上海微电子一直以来,在光刻机产品上只是贡献了整机集成这个方面的关键技术和关键能力,没听说像ASML那样曾经另外攻克了关键部件之一——双工作台。
国内配套的部件制造厂家和研发机构呢?到目前为止的信息表明,相对于上海微电子的整机集成技术积累和储备,在包括但不局限于“三大核心部件”的高端部件技术方面的积累和储备不是“一定的”,而是厚实的、全面的,并且还高于、早于上海微电子的,特别是还形成了一定的关键部件制造能力,在2025年前一定能更为厚实、全面一些,制造能力一定能再提升一些,也就是,到2025年前,应该不止是有更多的高端部件技术积累和储备,而是为攻克高端光刻机奠定了“更高的”高端部件技术基础和制造能力。我刚刚还在今日头条看到了昨天晚上发出的一条新信息,某知名科技领域创作者说最近我国在光源和光学镜头方面都取得了突破,双工作台技术也在去年打破了ASML的垄断,因此认为“已经越来越接近EUV光刻机的核心了”。而我,在这里之所以说高端部件技术基础和制造能力到2025年前能是“更高的”却没说能是“足够的”,是因为根据到目前为止的信息,高端部件技术还没有多少已经转化为高端部件产品,转化中、待转化和概念性的高端部件技术加一起仍然占多数,而这一切在量和质上,到2025年前难能有突飞猛进式的变化,技术向来就不能在短时间内取得新进展、获得新突破。
按“多个国”分别历经10年、15年攻克7纳米光刻机的原型机和量产机这 2 个既有的历史事实,也可以确定地说上海微电子和配套的制造厂家与研发机构不能在2025年前攻克,连7纳米的原型机都不可能。将来一定能!甚至,能同跨越式地攻克28纳米量产光刻机一样,跨过14纳米及其以下,越过7纳米,但怎么也得 8 年、10年,最晚能在2032年前吧,这就称得上奇迹了,毕竟是“一国造”!我们中国人也确实是创造过不少奇迹,在光刻机领域就是,我们国内在1952年就起步相关技术的研发了,通过自加压力、自主研发,在1985年前,攻克了较多先进技术,攻克了较多先进产品,先进程度曾经仅仅低于美国这一个国。
2. 上海微电子已经成功生产光刻机了么?
全球半导体前道光刻机长期由ASML、佳能、尼康三家公司所垄断,三家公司占据了99%的市场份额。ASML市场份额常年高达60%以上,呈现霸主垄断地位,ASML已经完全地垄断了超高端光刻机领域,而佳能则完全退出高端市场,凭借价格优势盘踞在中低端市场。
上海微电子(SMEE)成立于2002年,其主产品SSX600系列步进扫描投影光刻机满足90nm、110nm、280nm芯片前道光刻工艺的要求,可以用于8英尺、12英尺大规模工业生产。毫无疑问上海微电子早已经能够生产光刻机,相比较于1984年4月成立的ASML,上海微电子疑问是芯片制造光刻机领域的后起之秀,经过20余年的发展逐渐缩小了和光刻巨头之间的差距,上海微电子在全球后道封测光刻机领域高达40%的占有率。上海微电在前道光刻机领域仅能提供低端光刻机光刻原理其实特别简单,就跟我们在沙滩上晒太阳一样,光线能直接照射到的地方皮肤就会呈现黝黑的颜色,而被遮挡的地方皮肤就会呈现白皙的颜色。早期的光刻机其实和照相机显影技术并无二致,所以也就能理解为什么做照相机的佳能和尼康为什么会闯入光刻机领域。基于光刻机的原理很简单,早期的芯片工艺制程水平也并不高,所以我国大致是在1965年前后拥有光刻机。1445所在1977年就研制成功了一台接触式光刻机GK-3。接触式光刻就是直接将掩膜直接贴到硅片上用灯光照射,这种工艺最难的地方在于要在底片上刻出1微米分辨率的线条,而光照并不是太大的难题。这么说想必大家要翘尾巴了,要知道西方在1978年就已经推出了成熟的分布投影光刻机了。拜读过《朱煜:精密事业》就知道我们的半导体工业为什么会落后别人一大截,国情使然,这里就不再大篇幅陈述。如今的半导体产业已经成为了一个全球性的巨大产业链条,我们已经完全有能力生产7nm甚至更低nm的芯片,关键在于我们的材料和设备受制于人,高端光刻设备对于光学技术和供应链要求极高,拥有极高的技术壁垒,是全球产业链整合出来的产品,比如ASML光刻机的光源来自美国、镜头来自德国、阀件来自法国,这些不是有钱就能买得到的,因为欧美国家对我们实施了技术封锁。光刻机的市场需求并不高ASML的EUV光刻机拥有10万个主要部件,镜子都需要数月才能打磨到理想的平滑度,运输是需要41辆超大型卡车,所以ASML每年仅能生产百来台,所以也就能理解尼康和佳能逐渐势弱。光刻机不开张则已,一开张就能吃好几年。ASML在研发费用方面长期处于行业领先地位,研发费用占到了总销售额的20%左右。ASML也拥有大量的现金,所以研发并不会受到经济周期的影响。这些都得益于ASML独特的公司股权架构,只有注资ASML公司成为股东之一才能够获得优先供货权,毫无疑问英特尔、三星、台积电都是ASML的股东,如今的ASML已经成为不折不扣的美系资金企业。上海微电子也并没有那么悲观鲲鹏有鲲鹏的活法,蚍蜉有蚍蜉的活法。当国外巨头都在耻笑上海微电子有近二十年的代差,几十上百年都很难追上,谁又规定了蚍蜉不能一路打怪升级呢?当一种技术封锁上升到国家层面时,举国之力发展半导体产业自有生态离成功并非难事,日本、韩国的半导体产业就是这样发展起来的。以上个人浅见,欢迎批评指正。认同我的看法,请点个赞再走,感谢!喜欢我的,请关注我,再次感谢!3. 是受制于技术原因还是专利原因?
纠正一下:不是造不出光刻机,是造不出高精度的光刻机,比如7纳米以及7纳米以下的先进设备!核心原因是人才缺失,技术储备也不够,更别说专利壁垒很难绕开滴
4. 光刻机7纳米是什么?
光刻机7纳米是指芯片的工艺制程。
7纳米实际是个距离单位,纳米就是毫米的百万分之一长度,在芯片领域纳米指的是芯片的删极宽度,就是芯片的最小构成-硅晶体管的删极宽度。而光刻机一般是根据光源来分的,所谓7纳米芯片是指用13.5纳米波长的极紫外光euv光刻机,通过技术手段加工出7纳米芯片,也就是所谓的多次曝光,所以并不是光刻机是7纳米的。
5. 湖南首条光刻机是几nm?
湖南首条光刻机是2019年投入使用的一台EUV光刻机,其最小曝光尺寸为7纳米。光刻机是半导体制造中关键的设备,用于将芯片上的电路图案投射到硅片上。EUV光刻技术是目前最先进的光刻技术,能够实现更小的曝光尺寸,提高芯片的集成度和性能。湖南首条光刻机的投入使用标志着中国在半导体制造领域取得了重要突破,对于推动中国半导体产业的发展具有重要意义。
6. 光刻厂可以做几纳米?
光刻厂可以实现的纳米级别取决于其设备和技术水平。目前,先进的光刻技术可以实现亚纳米级别的精度,例如7纳米、5纳米和3纳米。然而,随着技术的不断发展,光刻厂有望实现更小的纳米级别,如2纳米或更低。
这需要更高级的设备和先进的光刻技术,以满足不断增长的微电子行业对更小、更高性能芯片的需求。
7. 7nm工艺需要多少nm的光刻机?
1、7nm工艺通常需要使用13.5nm的极紫外光刻机(EUVL)进行制程。
2、极紫外光刻机是目前用于制造7nm及以下工艺的最新一代光刻技术,可以实现更高的分辨率和更精确的图案复制。
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